杏彩官网注册同步整流 - 道客巴巴同步整流 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率 MOSFET， 来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。 它能大大提高 DC/DC 变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。 简介 同步整流的基本电路结构 功率 MOSFET 属于电压控制型器件， 它在导通时的伏安特性呈线性关系。 用功率MOSFET 做整流器时， 要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，杏彩平台app故称之为同步整流。 为什么要应用同步整流技术 电子技术的发展， 使得电路的工作电压越来越低、 电流越来越大。 低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗， 但也给电源设计提出...
同步整流 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率 MOSFET， 来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。 它能大大提高 DC/DC 变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。 简介 同步整流的基本电路结构 功率 MOSFET 属于电压控制型器件， 它在导通时的伏安特性呈线性关系。 用功率MOSFET 做整流器时， 要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 为什么要应用同步整流技术 电子技术的发展， 使得电路的工作电压越来越低、 电流越来越大。 低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗， 但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由 3 部分组成： 功率开关管的损耗， 高频变压器的损耗， 输出端整流管的损耗。 在低电压、 大电流输出的情况下， 整流二极管的导通压降较高， 输出端整流管的损耗尤为突出。 快恢复二极管（FRD） 或超快恢复二极管（SRD） 可达 1.0～1.2V， 即使采用低压降的肖特基二极管（SBD） ， 也会产生大约 0.6V 的压降， 这就导致整流损耗增大， 电源效率降低。 举例说明， 笔记本电脑普遍采用 3.3V 甚至 1.8V 或 1.5V 的供电电压， 所消耗的电流可达 20A。 此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的 50%。 即使采用肖特基二极管， 整流管上的损耗也会达到（18%～40%） PO， 占电源总损耗的 60%以上。杏彩注册因此， 传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、 大电流开关电源高效率及小体积的需要， 成为制约 DC/DC 变换器提高效率的瓶颈。 同步整流比之于传统的肖特基整流技术可以这样理解：
